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半導體電池片的清洗及制絨


半導體電池片行業清洗設備
1、清洗
清洗的目的:
①去除硅片表面的機械損傷層。
②對硅片的表面進行凹凸面(金字塔絨面)處理,增加光在太陽電池片表面的折射次數,利于太陽電池片對光的吸收,以達到電池片對太陽能價值的最大利用率。
③清除表面硅酸鈉、氧化物、油污以及金屬離子雜質。
化學清理原理:
①HF去除硅片表面氧化層。
②HCl去除硅片表面金屬雜質:鹽酸具有酸和絡合劑的雙重作用,氯離子能與溶解片子表面可能沾污的雜質,鋁、鎂等活潑金屬及其它氧化物。但不能溶解銅、銀、金等不活潑的金屬以及二氧化硅等難溶物質。
安全提示:NaOH、HCl、HF都是強腐蝕性的化學藥品,其固體顆粒、溶液、蒸汽會傷害到人的皮膚、眼睛、呼吸道,所以操作人員要按照規定穿戴防護服、防護面具、防護眼鏡、長袖膠皮手套。一旦有化學試劑傷害了員工的身體,馬上用純水沖洗30分鐘,送醫院就醫。

2、制絨
制絨的目的:減少光的反射率,提高短路電流(Isc),最終提高電池的光電轉換效率。
制絨的原理:利用低濃度堿溶液對晶體硅在不同晶體取向上具有不同腐蝕速率的各向異性腐蝕特性,在硅片表面腐蝕形成角錐體密布的表面形貌,就稱為表面織構化。角錐體四面全是由〈111〉面包圍形成。
反應式為:Si+2NaOH+H2O→Na2SiO3+2H2↑
影響絨面的因素:
①NaOH濃度
②無水乙醇或異丙醇濃度
③制絨槽內硅酸鈉的累計量
④制絨腐蝕的溫度
⑤制絨腐蝕時間的長短
⑥槽體密封程度、乙醇或異丙醇的揮發程度

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